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RIE反應離子刻蝕

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RIE反應離子刻蝕

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RIE反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。

它是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，

同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。

主要用于Si、SiO2、SiNx、半導體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。

樣品要求

1.樣品載物臺最大可放置 8 寸硅片；小樣品只要可放在載物臺亦可；

2.樣品可以是多晶硅柵電極，石英材料，鍺材料等；

3.若需進一步溝通，請聯系技術老師。

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RIE反應離子刻蝕

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