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質譜儀（MS）

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靜態二次離子質譜（TOF-SIMS）

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二次離子質譜大科普！TOF-SIMS實例分析

二次離子質譜大科普！ TOF-SIMS 實例分析二次離子質譜（ Secondary Ion Mass Spectrometry ， SIMS ）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出的二次離子因質量不同而飛行到探測器的時間不同，實現不同元素、同位素及分子結構的探測。一、...

2024-01-19

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表面分析利器——TOF-SIMS飛行時間二次離子質譜儀

TOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）是通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量的極高分辨率的測量技術。 TOF-SIMS具有極高分辨率，可以提供表面...

2023-12-11

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TOF-SIMS幾種不同濺射源的選擇

TOF-SIMS最早應用于靜態SIMS，但隨著技術的發展迭代，TOF-SIMS也配備了濺射源，用于深層界面的分析和深度剖析。目前用于濺射的主要有雙束離子源（DSC）、氣體團簇離子源（GCS）、FIB三種，本文將以M6為原型介紹這三種濺射源的性能、參數和實際應用。雙束離子源（DSC O2/Cs） ...

2023-12-11

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