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    動態二次離子質譜儀可解決哪些問題?
    來源:測試GO 時間:2022-08-25 14:50:21 瀏覽:2032次

    動態-二次離子質譜(D-SIMS)用氣體等離子源轟擊樣品,使樣品表面原子、分子或離子等濺射出來,用質量分析器接收濺射出的二次離子,通過分析其質荷比(m/z)得到的二次離子質譜。因為D-SIMS的離子源是高密度離子束(原子劑量>1012 ions/cm2),對樣品的濺射影響很大,所以這是一種破壞性分析。此外,D-SIMS一般要求樣品導電性要好,主要用于無機樣品沿縱向方向的濃度剖析和進行痕量雜質鑒定如地質研究、同位素定量分析、半導體摻雜的深度分析等。

     

    D-SIMS測試可解決哪些問題有:

    1)定性檢測產品表面微小異物(≥10μm),尤其是在常規成分檢測方法無效時。

    2)檢測多層膜或單層膜的厚度和成分(厚度≥1nm)。

    3)分析表面超痕量物質成分,確定外來污染與否,檢出限高達ppb級別。

    4)測試在摻雜工藝中由表到里,超低含量的物質情況。

    5)元素含量的面分布圖、同位素豐度分析,逐層剝離、實現各成分的縱向剖析(AES、XPS只能分析縱向新生成的表面)

     

    D-SIMS測試的樣品要求:

    以固態薄層、表面平整材料為主,比如襯底或者薄膜。粉末、已封裝或者有結構之類的特殊樣品需要進行適當制備。

    1、尺寸要求:5-10mm之間,厚度不超過1mm,真空保存,標記清楚測試面。

    2、分析面積100,200,300um見方居多,面積越大濺射速率越慢。

    3、測試厚度一般在5um之內,但不超過10um。

    4、部分樣品可以定量分析(比如,常見的硅中各種摻雜 B, P,As等;各類化合物半導體及其多層結構等),取決于是否有合適的標準樣品。


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    12條評論
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    全部 3小時前 四川
    文字是人類用符號記錄表達信息以傳之久遠的方式和工具。現代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產生書面文字,很多小語種,有語言但沒有文字。文字的不同體現了國家和民族的書面表達的方式和思維不同。文字使人類進入有歷史記錄的文明社會。
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